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德州仪器推出具有电源限制功能与全面MOSFET SOA保护功能的新型正高压热插拔控制器机床设备

时间：2022年11月11日

德州仪器推出具有电源限制功能与全面MOSFET SOA保护功能的新型正高压热插拔控制器日前，德州仪器 (ti) 宣布推出业界首款采用可编程电源与电流限制功能的热插拔电源管理器，以支持 9 ～ 80v 的正压系统。该款10 引脚的 3 毫米 x 5 毫米新型控制器充分利用了 ti 新的 0.7 微米硅绝缘体模拟工艺 (silicon-on-insulator analog p组装rocess) ，以确保提供全面的 mosfet 安全工作区 (soa) 保护，从而简化了高压系统设计。(如欲了解更多详情，敬请访问：power.ti.com/sc04001。)

tps2490 及 tps2491 热插拔管理器理想适用于支持与保护新兴正高压分布式电源系统，诸如 12v、24v 与 48v 服务器背板、存储域网络、医疗系统、插入模块以及无线基站等。

ti 负责系统电源管理的副总裁 rich valley 说：“从事正高压电源系统的电源设计人员关注的主要问题之一就是：如何在降低通道电阻的同时还能最大限度地提高电压操作能力。通过遵循电源曲线的要求，并能在任何恶劣工作环境下保证 fet 的安全可靠性，这些灵活的新型热插拔器件可让设计人员从此高枕无忧。”

独特的电源限制功能可极大降低风险

tps2490 与 tps2491 器件的可编程电源限制功能有助于确保外部 fet 在适当的电压、电流与时间条件下始终保持在其 soa 范围内进行工作。在正常工作期间，外部fet 可在最大的栅极－源极 (gate-to-source) 电压下工作，以尽可能降低通道电阻。在进行启动及出现短路的情况下，可对栅极－源极电压进行调制，以便提供已定义的启动时间，并避免损坏外部 fet。

定时器功能可以限制器件处于电源限制模式的时间长度。电源限制电路可以监控外部fet 的漏电流与漏极到源极 (drain-to-source) 电压、计算功耗并控制栅极－源极电压，以避免 fet 的功耗超出用户设定的级别。当外部 fet 的漏极－源极电压极低时，该电路在电流限制模式下工作，从而防止漏电流超出用户设定的级别。

支持高压功能的 lbc-soi 模拟工艺

ti 的新型 0.7 ?m lbc-soi 厚铜工艺 (thick copper) 主要采用业界最尖端的制造工艺，目的在于满足未来高压电源系统与高性能模拟产品的需求。110v 模拟工艺通过高级沟槽隔离技轴芯术显著简化了设计过程。lbc-soi 工艺可使 ti获得数项竞争优势，其中包括更高的封装密度、更小的寄生电容、内置闭锁抗扰度 (latch-up immunity) 以及消除基板电流的能力月饼机。

主要特性包括：

·可编程电源限制与电流限制；

·广泛的工作电压范围：+9v ～ +80v（最高为 100 v）；

·高侧驱动器，用于低 rds (on) 外部 n 通道 mosfet；

·锁定操作 (tps2490) 与自动重试功能 (tps2491)；

·快速电流限制，以便在输出短路时保护输入分配；

·可编程故障定时器，以消除烦琐的关机过程；

·良好的电源开漏输出 (power good open-drain output)，可提供下游 dc/dc 协调功能；

·极高的准确度 (+/- 10%)；

·可编程欠压封锁/逻辑，允许源极低压关机或系统级逻辑控制。

供货情况

tps2490 与 tps2491 采用无引线、10 引脚 msop 封装，目前已开始批量供货，订购量为千套时，价格为 1.70 美元。tps2490 的评估板可通过 power.ti.com 在 24 小时内获得。

日前，德州仪器 (ti) 宣布推出业界首款采用可编程电源与电流限制功能的热插拔电源管理器，以支持 9 ～ 80v 的正压系统。该款10 引脚的 3 毫米 x 5 毫米新型控制器充分利用了 ti 新的 0.7 微米硅绝缘体模拟工艺 (silicon-on-insulator analog process) ，以确保提供全面的 mosfet 安全工作区 (soa) 保护，从而简化了高压系统设计。(如欲了解更多详情，敬请访问：power.ti.com/sc04001。)

tps2490 及 tps2491 热插拔管理器理想适用于支持与保护新兴正高压切粒刀分布式电源系统，诸如 12v、24v 与 48v 服务器背板、存储域网络、医疗系统、插入模块以及无线基站等。