全球NAND Flash高容量市场厮杀战揭幕镗铣床
三星年底合约价宣告失守 明年海力士、东芝大军围城 nand flash进入新一轮战局
三星电子(samsung electronics)力守nand型快闪记忆体(flash)价呼叫器格策略宣告破功,12月上旬高容量mlc(multi-level-cell)制程nand型flash合约价重挫逾20%,8gb、16gb分别失守10和20美元关卡,几乎贴近现货价。记忆体下游厂商表示,由于海力士(hynix)60奈米及东芝(toshiba)56奈米mlc制程2007年上半将陆续量产,三星63奈米制程优势式微,整个nand型flash市场进入新一轮激烈厮杀战。
2006年nand型flash市场mlc制程主流之路确立,三星和海力士所扮演推手角色功不可没,三星第二季mlc制程占总产出比重仅21%,且主硅砖要以70奈米制程为主,然进入第三季后,三星大举转换制程至63奈米,mlc比重急增至40%,展望第四季三星将持续拉升mlc比重至75%。海力士mlc制程进度更是出奇顺利,2005年上半mlc制程比重几近零,然2006年以来比重快速拉升,第三季已接近50%水准。
记忆体厂商表示,尽管三星成功主导mlc制程登主流,且下半年顺利由70奈米转至63奈米制程,然此举却使得slc(single-level-cell)和mlc之间供需急速失衡,更让控制晶片业者和记忆卡制造商措手不及,支援63奈米mlc制程记忆卡控制晶片未完全备战,间接导致8gb和16gb nand型flash重挫。
此外,支援8gb和16gb控制晶片陆续传出不相容问题,甚至导致记忆卡厂产品遭退货,让下游厂商大量采用高容量nand型flash意愿降低,然更主要原因,则是缺乏更有力的应用产品,市场陷入供过于求瓶颈,因此,记忆卡厂藉着没足够控制晶片支援产品为由,婉拒上游大厂塞货。
值得注意的是,虽然三星在63奈米制程战役领先,然自2007年第一季起,原本制程落后一个世代的海力士,其60奈米制程亦开始产出,加上东芝下世代56奈米制程加入战局,且该2厂商都是以mlc制程为重心,整个nand型flash市场势必将再掀波涛。对三星而言,随着2大竞争对手来势汹汹,其63奈米制程优势将式微,因此,三星将在2007年第二季持续微缩至50奈米制程,以迎接竞争对手的挑战。
根据最新报价,mlc制程8gb晶片合约价下滑约20%,均价落在9~10美元;16gb晶片价格下滑逾20%,均价17.5~20美元;在s晒版机lc方面,8gb晶片合约价下滑12%,均价12.5~15美元;16gb晶片下滑14%,均价24.8~30美元;估计目前整体nand型flash市场mlc制程比重约60~70%,其余双辽为slc制程。
三星年底合约价宣告失守 明年海力士、东芝大军围城 nand flash进入新一轮战局
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此外,支援8gb和16gb控制晶片陆续传出不相容问题,甚至导致记忆卡厂产品遭退货,让下游厂商大量采用高容量nand型flash意愿降低,然更主要原因,则是缺乏更有力的应用产品,市场陷入供过于求瓶颈,因此,记忆卡厂藉着没足够控制晶片支援产品为由,婉拒上游大厂塞货。
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